台积电在日本设立了材料研发中心，专家分析认为，3D芯片的重要性与日俱增，特别是与散热密切相关的材料是关键，材料是日本产学界的强项，台湾积体电路制造的先进工艺结合日本材料的实力，有助于台湾积体电路制造拉大与对方三星的技术差距。
台积电赴日本投资正式拍板定案，董事会近日通过以约1.86 亿美元金额在日本茨城县筑波市设立材料研发中心，加强和日本生态系伙伴在3D芯片（3DIC）材料方面开发。
中美贸易战与疫情蔓延，更加确立半导体产业在地缘政治上的战略性地位，市场已多次传出日本频频挥手，希望台积电赴日投资合作发展半导体产业。
事实上，台积电赴日投资材料研发中心，也有不得不然的必要。工研院产科国际所研究总监杨瑞临分析，随着半导体制程微缩技术难度越来越高，即将遭遇瓶颈，加上效能与成本的考量，3D芯片（3DIC）重要性与日俱增，其中与散热密切相关的材料非常关键。
3DIC 是指将多颗芯片进行3D空间垂直整合，以因应半导体制程受到电子及材料的物理极限。
台积电在先进封装领域已布局多年，自2016 年推出InFO 封装技术后，至2019 年已发展至第5 代整合型扇出层叠封装技术（InFO-PoP）及第2 代整合型扇出暨基板封装技术（InFO_oS），并开发第5 代CoWoS。
台积电去年还进一步整合InFO 与CoWoS 等3DIC 平台为3DFabric，并看好相关的先进封装未来业绩成长性将高于公司的平均水准，与高效能运算平台同为台积电营运成长主要动能。
材料向来是日本产学界强项，杨瑞临分析，台积电前往日本设立材料研发中心，以自身领先的先进制程技术结合日本材料的坚强实力，将有助进一步强化先进封装实力，拉大与竞争对手三星（Samsung ）的差距，在半导体制造领域扮演领头羊角色。