在ISSCC 2021国际固体电路会议上，台湾积体电路制造联合首席执行官刘德音公布了该公司最新的技术进展情况，指出3nm技术将超出预期，进度将加快。
但是，刘德音没有公布3nm工艺是如何进行的。 根据他们公布的信息，3nm工艺于今年下半年试制，并于2022年正式量产。
与三星在3nm节点激进选择GAA循环栅晶体管的工艺不同，台湾积体电路制造第一代3nm工艺较为保守，仍使用FinFET晶体管。
台湾积体电路制造3纳米工艺与5纳米工艺相比，晶体管密度提高了70%，速度提高了11%，或者功耗提高了27%。
不论是5nm还是3nm工艺，甚至未来的2nm工艺，台积电表示EUV光刻机的重要性越来越高，但是产能依然是EUV光刻的难题，而且能耗也很高。
刘德音提到，台积电已经EUV光源技术获得突破，功率可达350W，不仅能支持5nm工艺，甚至未来可以用于1nm工艺。
按照台积电提出的路线图，他们认为半导体工艺也会继续遵守摩尔定律，2年升级一代新工艺，而10年则会有一次大的技术升级。